• 
• M.2 NVMe PCIe Gen4x4 ソリッドステート・ドライブ
• 時代を先取る

特徴

•   できるアドオン
  アルミ製ヒートシンク

  ユーザーの好みに応じて
  自由に設置できる
  高性能で取り付け可能な
  アルミ製ヒートシンクを提供

•   性能を向上させる
  DRAMキャッシュ・
  バッファ

  速度・性能・耐久性を
  全体的に大幅に向上させる
  ためにDRAMキャッシュを
  バッファリングとして搭載

•   知能型SLC
  キャッシングアルゴ
  リズム

  SLCキャッシング技術採用により
  耐久性と読込・書込
  性能向上

•   セルフモニタリング
  S.M.A.R.T

  S.M.A.R.T技術を内蔵し、
  製品の安定性を最大化
  (モニタリング、分析、レポート)

•   LDPC ECCと
  グローバルウェ
  アレベリング

  データの維持や保護、
  全体的な寿命延長を提供

•   強力なAES 256-bit
  暗号化

  優れたデータセキュリティ確保のた
  めに、
  ハードウェアでAES 256-bit
  暗号化を
  サポート

シームレスな経験のための
極めて高速な性能

• 最大
  順次読込速度
• 読込 7,400 MB/s
• 書込 6,800 MB/s

• 最大
  最大4KランダムIOPS
• 読込 1,000 K
• 書込 1,000 K

• フラットフィン設計の
  アルミ製ヒートシンク
• ヒートシンク無しのSSDに比べて、最大20%の温度を低下させ、
  ヒートシンク付のCRAS C930は、過熱を防ぐことで長期的な信頼性を維持し、
  製品寿命を延ばすことができます。

温度低下 20% まで

• 一緒に楽しもう
  プレイステーション®5
  コンソールで動作
• CRAS C930は、PlayStation5の拡張スロットと完璧に互換性があるよう
  に設計されています。
  CRAS C930を使用すると、すべてのプレーヤーはPS5コンソールの
  卓越したパフォーマンスを維持しながらストレージ容量を拡張できます。
  ゲームをトラブルなくプレイしましょう!

• DRAMキャッシュ搭載
• CRAS C930は、NANDフラッシュとコントローラーの間でバッファの役割を
  担うDRAMキャッシュを搭載し、読込・書込性能を大きく向上させると同時に、
  優れた耐久性により製品の寿命を延長させます。

• 最先端の3D NAND NAND採用
• 3D NAND技術は、従来の2D NANDに比べてストレージ容量が大きく、耐久性が高く、
  消費電力が少ないです。CRAS C930は、すべての利点を兼ね備えており、
  信頼性の高い品質と、簡単に使用できる優れたTBW(Terabyte Write)を提供します。

簡単なヒートシンク取付けの
3ステップ

• CRAS C930の場合、SSDをブリスターに
  置いたままヒートシンクの取付け位置を
  調整します。 * チップのある部分が上向きです。
• ヒートシンク表面フィルムをはがします。

• 
• ヒートシンクをSSDに取り付けます。
• • · ヒートシンクをSSDの中央に位置付けます。
  • · ヒートシンクが左右の金色の端子と重なつてないか確認します。
  • · ヒートシンクをSSDの上に取付けてからSSDをブリスターパックから取り出します。
  • · ヒートシンクをムラなく押さえてSSDにしっかりと取付けます。

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ソフトウェア
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